Diodes Incorporated - 1N5404-B

KEY Part #: K6441507

1N5404-B ფასები (აშშ დოლარი) [222668ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.16611
  • 10 pcs$0.13487
  • 100 pcs$0.09187
  • 500 pcs$0.06891
  • 1,000 pcs$0.05168

Ნაწილი ნომერი:
1N5404-B
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD. Rectifiers Vr/400V Io/3A BULK
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and დიოდები - ზენერი - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated 1N5404-B electronic components. 1N5404-B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5404-B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5404-B პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N5404-B
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 3A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 10µA @ 400V
Capacitance @ Vr, F : 50pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-201AD, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-201AD
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CDBDSC8650-G

    Comchip Technology

    DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V

  • VS-8EWS10STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • VS-8EWS10STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.

  • MBRB10H90HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO263AB.

  • MBRB10H90CTHE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 90V 5A TO263AB.

  • MBRB10H90HE3/81

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO263AB.