Ნაწილი ნომერი :
SI4100DY-T1-E3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
6.8A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
63 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
20nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
600pF @ 50V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.5W (Ta), 6W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SO
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)