Ნაწილი ნომერი :
SI4484EY-T1-E3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
4.8A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
34 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA (Min)
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
30nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
-
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.8W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
8-SO
პაკეტი / საქმე :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)