მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET P-CH 20V 4A SSOT-6
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
4A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
640pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.6W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SuperSOT™-6
პაკეტი / საქმე :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6