Microsemi Corporation - JANTX1N6626US

KEY Part #: K6441019

JANTX1N6626US ფასები (აშშ დოლარი) [3660ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$11.83268
  • 10 pcs$10.94593
  • 25 pcs$10.05861
  • 100 pcs$9.34856
  • 250 pcs$8.57937

Ნაწილი ნომერი:
JANTX1N6626US
მწარმოებელი:
Microsemi Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 200V 1.75A D5B.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6626US electronic components. JANTX1N6626US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6626US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N6626US პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : JANTX1N6626US
მწარმოებელი : Microsemi Corporation
აღწერა : DIODE GEN PURP 200V 1.75A D5B
სერიები : Military, MIL-PRF-19500/578
ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1.75A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.35V @ 2A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 45ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 2µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, E
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5B
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 150°C

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RURD420S9A_T

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.

  • IDB10S60CATMA2

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK.

  • VS-8EWF04S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-MURB1520TRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK.

  • VS-20ETS08STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

  • VS-20ETS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK.