Vishay Siliconix - SIZ920DT-T1-GE3

KEY Part #: K6523891

SIZ920DT-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [4014ცალი საფონდო]

  • 3,000 pcs$0.33301

Ნაწილი ნომერი:
SIZ920DT-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SIZ920DT-T1-GE3 electronic components. SIZ920DT-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIZ920DT-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIZ920DT-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SIZ920DT-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Obsolete
FET ტიპი : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET თვისება : Standard
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 35nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1260pF @ 15V
ძალა - მაქსიმუმი : 39W, 100W
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 8-PowerWDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-PowerPair® (6x5)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ