Diodes Incorporated - DMN10H099SFG-7

KEY Part #: K6394786

DMN10H099SFG-7 ფასები (აშშ დოლარი) [315758ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.11714
  • 2,000 pcs$0.10409

Ნაწილი ნომერი:
DMN10H099SFG-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - RF, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN10H099SFG-7 electronic components. DMN10H099SFG-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN10H099SFG-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN10H099SFG-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN10H099SFG-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 25.2nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1172pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 980mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PowerDI3333-8
პაკეტი / საქმე : 8-PowerWDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ