Ნაწილი ნომერი :
IRFBC30STRLPBF
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
3.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
31nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
660pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
3.1W (Ta), 74W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
D2PAK
პაკეტი / საქმე :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB