Nexperia USA Inc. - BSH202,215

KEY Part #: K6417151

BSH202,215 ფასები (აშშ დოლარი) [754813ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.05411
  • 3,000 pcs$0.05384

Ნაწილი ნომერი:
BSH202,215
მწარმოებელი:
Nexperia USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - მასივები and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Nexperia USA Inc. BSH202,215 electronic components. BSH202,215 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSH202,215, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSH202,215 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSH202,215
მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 520mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 280mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.9V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2.9nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 80pF @ 24V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 417mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-236AB
პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVP2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.

  • FDD5N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V DPAK-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.