Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-20ETS12PBF

KEY Part #: K6445451

VS-20ETS12PBF ფასები (აშშ დოლარი) [2103ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.03271
  • 10 pcs$0.92818
  • 25 pcs$0.87584
  • 100 pcs$0.74618
  • 250 pcs$0.70065
  • 500 pcs$0.61307
  • 1,000 pcs$0.50797
  • 2,500 pcs$0.47294

Ნაწილი ნომერი:
VS-20ETS12PBF
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - TRIACs, ტირისტორები - სკკ and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-20ETS12PBF electronic components. VS-20ETS12PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-20ETS12PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-20ETS12PBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-20ETS12PBF
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 20A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 20A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AC
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.