ES1LDHM2G ფასები (აშშ დოლარი) [1398346ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.02645
- Ნაწილი ნომერი:
- ES1LDHM2G
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC. Rectifiers 35ns 1A 200V Sp Fst Recov Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1LDHM2G electronic components. ES1LDHM2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1LDHM2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES1LDHM2G პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
ES1LDHM2G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
სერიები :
Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
950mV @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F :
16pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-214AC, SMA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-214AC (SMA)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
MMBD1501-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 180V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600mA 180V
-
BAS21WT-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
VS-1N3624R
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA. Rectifiers 1000 Volt 16 Amp 400 Amp IFSM
-
SS1FL3HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 1A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified
-
SS1FH6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMF SCHOTTKY RECT
-
SS2FL3HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO-219AB. Schottky Diodes & Rectifiers If 2A Vrrm 30V AEC-Q101 Qualified
ცხელი ნაწილები
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A
选择你的位置