Alliance Memory, Inc. - AS6C8016A-55BIN

KEY Part #: K937875

AS6C8016A-55BIN ფასები (აშშ დოლარი) [18403ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.48996
  • 10 pcs$2.27137
  • 25 pcs$2.22818
  • 50 pcs$2.21293
  • 100 pcs$1.98513
  • 250 pcs$1.97749
  • 500 pcs$1.85406
  • 1,000 pcs$1.77517

Ნაწილი ნომერი:
AS6C8016A-55BIN
მწარმოებელი:
Alliance Memory, Inc.
Დეტალური აღწერა:
IC SRAM 8M PARALLEL 48FPBGA. SRAM 8M, 2.8-3.6V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: საათი / დრო - IC ბატარეები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ, ჩაშენებული - CPLDs (რთული პროგრამირებადი ლოგიკური , მონაცემთა შეძენა - სენსორული მაკონტროლებელი, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი, ხაზოვანი - შემსრულებლები, PMIC - კარიბჭის მძღოლები and PMIC - PFC (დენის ფაქტორების კორექტირება) ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Alliance Memory, Inc. AS6C8016A-55BIN electronic components. AS6C8016A-55BIN can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for AS6C8016A-55BIN, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

AS6C8016A-55BIN პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : AS6C8016A-55BIN
მწარმოებელი : Alliance Memory, Inc.
აღწერა : IC SRAM 8M PARALLEL 48FPBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : SRAM
ტექნოლოგია : SRAM - Asynchronous
მეხსიერების ზომა : 8Mb (512K x 16)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 55ns
წვდომის დრო : 55ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.7V ~ 3.6V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 48-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 48-FPBGA (10x8)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IS61LF6436A-8.5TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 8.5ns Sync SRAM 3.3v

  • IS61LP6436A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx36 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • IS61NLP6432A-200TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 200Mhz Sync SRAM 3.3v

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C