Micron Technology Inc. - MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR

KEY Part #: K914198

[12139ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR
    მწარმოებელი:
    Micron Technology Inc.
    Დეტალური აღწერა:
    IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ. NAND Flash TLC 256G 32GX8 VBGA
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მეხსიერება - ბატარეები, ინტერფეისი - სენსორისა და დეტექტორის ინტერფეისი, PMIC - LED მძღოლები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის , PMIC - განათების, ბალასტის კონტროლერები, ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე, PMIC - ლაზერული დრაივერი and მონაცემთა შეძენა - ADC / DAC - სპეციალური დანიშნულ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Micron Technology Inc. MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR electronic components. MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : MT29F256G08EBHAFJ4-3RES:A TR
    მწარმოებელი : Micron Technology Inc.
    აღწერა : IC FLASH 256G PARALLEL 333MHZ
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Active
    მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
    მეხსიერების ფორმატი : FLASH
    ტექნოლოგია : FLASH - NAND
    მეხსიერების ზომა : 256Gb (32G x 8)
    საათის სიხშირე : 333MHz
    დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
    წვდომის დრო : -
    მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
    ძაბვა - მიწოდება : 2.5V ~ 3.6V
    ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
    სამონტაჟო ტიპი : -
    პაკეტი / საქმე : -
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • IS61LPD51236A-200TQI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb 512Kx36 200MHz Sync SRAM 3.3v

    • IS61LPD102418A-200TQI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 18M PARALLEL 100TQFP. SRAM 18Mb 1Mbx18 200MHz Sync SRAM 3.3v

    • IS62WV102416ALL-35TLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 16M PARALLEL 48TSOP. SRAM 16M (1Mx16) 35ns Async SRAM

    • IS43TR16512AL-15HBL

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA. DRAM DDR3L,8G,1.35V,RoHs 1333MT/s,512Mx16

    • IS43TR16512A-125KBLI-TR

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA. DRAM DDR3,8G,1.5V,RoHs 1600MT/s,512Mx16, IT

    • MR4A16BYS35R

      Everspin Technologies Inc.

      IC RAM 16M PARALLEL 54TSOP2. NVRAM 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM