ON Semiconductor - NDT452AP

KEY Part #: K6416999

NDT452AP ფასები (აშშ დოლარი) [209552ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.17651
  • 4,000 pcs$0.16810

Ნაწილი ნომერი:
NDT452AP
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor NDT452AP electronic components. NDT452AP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDT452AP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDT452AP პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : NDT452AP
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 5A SOT-223-4
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 690pF @ 15V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 3W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -65°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-223-4
პაკეტი / საქმე : TO-261-4, TO-261AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.