ON Semiconductor - FS8J

KEY Part #: K6452386

FS8J ფასები (აშშ დოლარი) [272544ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.13810
  • 5,000 pcs$0.13741
  • 10,000 pcs$0.13571

Ნაწილი ნომერი:
FS8J
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO277-3. Rectifiers 8A 600V GPP
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - სკკ, დენის მართვის მოდული, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FS8J electronic components. FS8J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS8J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS8J პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FS8J
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : DIODE GEN PURP 600V 8A TO277-3
სერიები : Automotive, AEC-Q101
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 8A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.1V @ 8A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 3.37µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F : 118pF @ 0V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-277, 3-PowerDFN
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-277-3
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MBRD6100CT-TP

    Micro Commercial Co

    6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER

  • MBRD560TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 60V 5A DPAK.

  • GL41M-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1000 Volt 30 Amp IFSM

  • BYM10-800-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB. Rectifiers 800 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-1000-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • RGL34K-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM