Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-20ETF12STRRPBF

KEY Part #: K6443013

VS-20ETF12STRRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [2936ცალი საფონდო]

  • 800 pcs$1.30891

Ნაწილი ნომერი:
VS-20ETF12STRRPBF
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-20ETF12STRRPBF electronic components. VS-20ETF12STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-20ETF12STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-20ETF12STRRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : VS-20ETF12STRRPBF
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 20A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.31V @ 20A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 95ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 100µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263AB (D²PAK)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -40°C ~ 150°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-8EWS08STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.

  • VS-8EWF12STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWF06STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.

  • VS-8EWF06STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK.