IXYS - IXFH42N50P2

KEY Part #: K6402173

IXFH42N50P2 ფასები (აშშ დოლარი) [13957ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.24796
  • 10 pcs$2.92316
  • 100 pcs$2.40349
  • 500 pcs$2.01373
  • 1,000 pcs$1.75390

Ნაწილი ნომერი:
IXFH42N50P2
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 500V 42A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and Thististors - DIACs, SIDACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFH42N50P2 electronic components. IXFH42N50P2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH42N50P2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH42N50P2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFH42N50P2
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 500V 42A TO247
სერიები : HiPerFET™, PolarHV™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 42A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 145 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 92nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5300pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 830W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247AD (IXFH)
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.

  • BS170-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • TK90S06N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.