Vishay Semiconductor Diodes Division - GP30B-E3/54

KEY Part #: K6440178

GP30B-E3/54 ფასები (აშშ დოლარი) [352990ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.10478
  • 2,800 pcs$0.09496

Ნაწილი ნომერი:
GP30B-E3/54
მწარმოებელი:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Დეტალური აღწერა:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD. Rectifiers 3.0 Amp 100 Volt 125 Amp IFSM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, Thististors - DIACs, SIDACs, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division GP30B-E3/54 electronic components. GP30B-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP30B-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GP30B-E3/54 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GP30B-E3/54
მწარმოებელი : Vishay Semiconductor Diodes Division
აღწერა : DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
სერიები : SUPERECTIFIER®
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 100V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.2V @ 3A
სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 5µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 5µA @ 100V
Capacitance @ Vr, F : -
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-201AD, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-201AD
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • SE10FDHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FG-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 400V ESD Prot SMF Rectifier

  • SE10FJHM3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V SMF Rectifier

  • SE10FD-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 200V ESD Prot SMF Rectifier