RFV12TG6SGC9 ფასები (აშშ დოლარი) [59189ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.72331
- 10 pcs$0.64178
- 25 pcs$0.57949
- 100 pcs$0.50707
- 250 pcs$0.44496
- 500 pcs$0.39322
- 1,000 pcs$0.29366
- 2,500 pcs$0.27408
- 5,000 pcs$0.26038
- Ნაწილი ნომერი:
- RFV12TG6SGC9
- მწარმოებელი:
- Rohm Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vrm 12A Io Recovery Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - მასივები, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Rohm Semiconductor RFV12TG6SGC9 electronic components. RFV12TG6SGC9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFV12TG6SGC9, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RFV12TG6SGC9 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
RFV12TG6SGC9
მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
DIODE GEN PURP 600V 12A TO220AC
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
12A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
2.8V @ 12A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
45ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
10µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
TO-220-2
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220ACFP
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
150°C (Max)
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK
-
VS-5EWX06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers 5A 600V 14ns Hyperfast
-
VS-HFA15TB60-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC. Rectifiers 600V 15A TO-262 HexFred
-
V30100SG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
-
-
VS-HFA08TB120S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1200V 8A D2PAK. Rectifiers 1200V 8A TO-263 HexFred
ცხელი ნაწილები
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G
选择你的位置