1N5408G-T ფასები (აშშ დოლარი) [714995ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.05173
- 1,200 pcs$0.04699
- 2,400 pcs$0.04307
- 6,000 pcs$0.04046
- 12,000 pcs$0.03785
- 30,000 pcs$0.03472
- Ნაწილი ნომერი:
- 1N5408G-T
- მწარმოებელი:
- Diodes Incorporated
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD. Rectifiers 3.0A 1000V
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დენის მართვის მოდული, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტირისტორები - TRIACs ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Diodes Incorporated 1N5408G-T electronic components. 1N5408G-T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5408G-T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5408G-T პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
1N5408G-T
მწარმოებელი :
Diodes Incorporated
აღწერა :
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1000V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
3A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.1V @ 3A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
2µs
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F :
40pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
პაკეტი / საქმე :
DO-201AD, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
DO-201AD
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-65°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
CSD01060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 1A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers 1A 600V SIC SCHOTTKY DIODE
-
BAS19-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 120V
-
BAS116E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
C3D10060G
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 10A
-
VS-50WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A TO252AA. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
-
VS-30WQ06FNHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 3.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3
ცხელი ნაწილები
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18
选择你的位置