Ნაწილი ნომერი :
RJK6014DPK-00#T0
მწარმოებელი :
Renesas Electronics America
აღწერა :
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
16A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
575 mOhm @ 8A, 10V
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
45nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1800pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
150W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-3P
პაკეტი / საქმე :
TO-3P-3, SC-65-3