Microsemi Corporation - JANTXV1N6662US

KEY Part #: K6442528

[3102ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    JANTXV1N6662US
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტირისტორები - სკკ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6662US electronic components. JANTXV1N6662US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6662US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N6662US პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : JANTXV1N6662US
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A
    სერიები : Military, MIL-PRF-19500/587
    ნაწილის სტატუსი : Active
    დიოდის ტიპი : Standard
    ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 400V
    მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 500mA
    ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1V @ 400mA
    სიჩქარე : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
    მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 50nA @ 400V
    Capacitance @ Vr, F : -
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : SQ-MELF, A
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-5A
    ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -65°C ~ 175°C

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • GP2D010A120C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO252-2.

    • GP2D006A065C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO252-2.

    • GP2D005A120C

      Global Power Technologies Group

      DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A DPAK-2.

    • STPS20M100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.

    • 1PS74SB23,125

      Nexperia USA Inc.

      DIODE SCHOTTKY 25V 1A 6TSOP. Schottky Diodes & Rectifiers DIODE SCHOTTKY

    • VS-60APF12-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3