Infineon Technologies - IPB90N06S4L04ATMA2

KEY Part #: K6418631

IPB90N06S4L04ATMA2 ფასები (აშშ დოლარი) [71045ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.55037
  • 1,000 pcs$0.44893

Ნაწილი ნომერი:
IPB90N06S4L04ATMA2
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IPB90N06S4L04ATMA2 electronic components. IPB90N06S4L04ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB90N06S4L04ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB90N06S4L04ATMA2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IPB90N06S4L04ATMA2
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
სერიები : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 90µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±16V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 13000pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 150W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TO263-3-2
პაკეტი / საქმე : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.

  • TK7A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS.