Vishay Siliconix - VQ1001P-2

KEY Part #: K6523757

[4059ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    VQ1001P-2
    მწარმოებელი:
    Vishay Siliconix
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Vishay Siliconix VQ1001P-2 electronic components. VQ1001P-2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VQ1001P-2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VQ1001P-2 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : VQ1001P-2
    მწარმოებელი : Vishay Siliconix
    აღწერა : MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : 4 N-Channel
    FET თვისება : Logic Level Gate
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 830mA
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.75 Ohm @ 200mA, 5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : -
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 110pF @ 15V
    ძალა - მაქსიმუმი : 2W
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    პაკეტი / საქმე : -
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 14-DIP

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • AO4801L

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC.

    • UPA1764G-E2-AZ

      Renesas Electronics America

      MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC.

    • TMC1340-SO

      Trinamic Motion Control GmbH

      MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC.

    • SI4618DY-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.

    • SP8M4FU6TB

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC.