EPC - EPC2018

KEY Part #: K6403908

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - JFET ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in EPC EPC2018 electronic components. EPC2018 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2018, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : EPC2018

მწარმოებელი : EPC

აღწერა : GANFET TRANS 150V 12A BUMPED DIE

სერიები : eGaN®

ნაწილის სტატუსი : Discontinued at Digi-Key

FET ტიპი : N-Channel

ტექნოლოგია : GaNFET (Gallium Nitride)

გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 150V

მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)

წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 3mA

კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 7.5nC @ 5V

Vgs (მაქს) : +6V, -5V

შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 540pF @ 100V

FET თვისება : -

დენის დაშლა (მაქსიმალური) : -

ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 125°C (TJ)

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Die

პაკეტი / საქმე : Die

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

AUIRFR8405

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
AUIRFR8403

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
AUIRFR8401

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.
2SK3309(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.
FQD3N50CTF

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.
IRLR3715TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

ცხელი ნაწილები