IXYS - IXFJ40N30

KEY Part #: K6407042

[1110ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IXFJ40N30
    მწარმოებელი:
    IXYS
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 300V 40A TO-220.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - RF and ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in IXYS IXFJ40N30 electronic components. IXFJ40N30 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFJ40N30, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFJ40N30 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IXFJ40N30
    მწარმოებელი : IXYS
    აღწერა : MOSFET N-CH 300V 40A TO-220
    სერიები : HiPerFET™
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 300V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 200nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4800pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 300W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-268
    პაკეტი / საქმე : TO-220-3, Short Tab

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • ZVNL120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3.

    • BS170ZL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92.

    • BS170RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 0.5A TO-92.

    • IXTY06N120P

      IXYS

      MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252.

    • IRFR5505GTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.

    • IRLR3636PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.