Diodes Incorporated - DMN3730UFB4-7

KEY Part #: K6418874

DMN3730UFB4-7 ფასები (აშშ დოლარი) [490925ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.10144
  • 3,000 pcs$0.10093

Ნაწილი ნომერი:
DMN3730UFB4-7
მწარმოებელი:
Diodes Incorporated
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 750MA DFN.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - RF, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - JFET ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3730UFB4-7 electronic components. DMN3730UFB4-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3730UFB4-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3730UFB4-7 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : DMN3730UFB4-7
მწარმოებელი : Diodes Incorporated
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 750mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 1.6nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 64.3pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 470mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : X2-DFN1006-3
პაკეტი / საქმე : 3-XFDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CPH6350-TL-W

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 6A CPH6.

  • FQD2N100TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK.

  • IXTY3N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 3A D-PAK.

  • TK100S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

  • FQD11P06TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK.

  • IRFR5505TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 18A DPAK.