STMicroelectronics - STH272N6F7-6AG

KEY Part #: K6397058

STH272N6F7-6AG ფასები (აშშ დოლარი) [38068ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.02710
  • 1,000 pcs$0.91430

Ნაწილი ნომერი:
STH272N6F7-6AG
მწარმოებელი:
STMicroelectronics
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and დენის მართვის მოდული ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in STMicroelectronics STH272N6F7-6AG electronic components. STH272N6F7-6AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STH272N6F7-6AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STH272N6F7-6AG პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : STH272N6F7-6AG
მწარმოებელი : STMicroelectronics
აღწერა : MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
სერიები : Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 11000pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 333W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : H2PAK-6
პაკეტი / საქმე : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRFR220NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.

  • IRLR3410PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • FDD390N15ALZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3.

  • TK56A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 56A TO-220.

  • STT6N3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6.

  • STT4P3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6.