IXYS - IXFN120N65X2

KEY Part #: K6395031

IXFN120N65X2 ფასები (აშშ დოლარი) [3344ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$14.25111
  • 10 pcs$13.18042
  • 100 pcs$11.25689

Ნაწილი ნომერი:
IXFN120N65X2
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFN120N65X2 electronic components. IXFN120N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN120N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN120N65X2 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFN120N65X2
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 108A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 54A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 225nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 15500pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 890W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-227B
პაკეტი / საქმე : SOT-227-4, miniBLOC

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ