ON Semiconductor - FQPF8N90C

KEY Part #: K6419024

FQPF8N90C ფასები (აშშ დოლარი) [88025ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.44420
  • 1,000 pcs$0.43120

Ნაწილი ნომერი:
FQPF8N90C
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - ზენერი - მასივები and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FQPF8N90C electronic components. FQPF8N90C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF8N90C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQPF8N90C პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FQPF8N90C
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F
სერიები : QFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 900V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 6.3A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2080pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 60W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220F
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ