ON Semiconductor - FDFMA2N028Z

KEY Part #: K6411848

FDFMA2N028Z ფასები (აშშ დოლარი) [315918ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.11767
  • 3,000 pcs$0.11708

Ნაწილი ნომერი:
FDFMA2N028Z
მწარმოებელი:
ON Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ON Semiconductor FDFMA2N028Z electronic components. FDFMA2N028Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDFMA2N028Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDFMA2N028Z პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FDFMA2N028Z
მწარმოებელი : ON Semiconductor
აღწერა : MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2
სერიები : PowerTrench®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.7A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Vgs (მაქს) : ±12V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 455pF @ 10V
FET თვისება : Schottky Diode (Isolated)
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.4W (Tj)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 6-MicroFET (2x2)
პაკეტი / საქმე : 6-VDFN Exposed Pad

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.

  • IRFR4615TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

  • IRLR8113TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IRFR12N25DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.