Nexperia USA Inc. - PSMN8R5-100ESQ

KEY Part #: K6409992

PSMN8R5-100ESQ ფასები (აშშ დოლარი) [50279ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.77767
  • 10 pcs$0.70408
  • 100 pcs$0.56581
  • 500 pcs$0.44009
  • 1,000 pcs$0.34494

Ნაწილი ნომერი:
PSMN8R5-100ESQ
მწარმოებელი:
Nexperia USA Inc.
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - TRIACs, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტირისტორები - სკკ and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100ESQ electronic components. PSMN8R5-100ESQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN8R5-100ESQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN8R5-100ESQ პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : PSMN8R5-100ESQ
მწარმოებელი : Nexperia USA Inc.
აღწერა : MOSFET N-CH 100V 100A I2PAK
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100A (Tj)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 111nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5512pF @ 50V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 263W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : I2PAK
პაკეტი / საქმე : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FDD6670AS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

  • FDD8586

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

  • FDD8580

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

  • FCD4N60TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

  • 2SK2231(TE16R1,NQ)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

  • BSS84P E6433

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.