ES1JL RUG ფასები (აშშ დოლარი) [1328428ცალი საფონდო]
- 1 pcs$0.02784
- Ნაწილი ნომერი:
- ES1JL RUG
- მწარმოებელი:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA. Rectifiers 35ns 1A 600V Sp Fst Recov Rectifier
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1JL RUG electronic components. ES1JL RUG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1JL RUG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES1JL RUG პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
ES1JL RUG
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
600V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
1.7V @ 1A
სიჩქარე :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
35ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
5µA @ 600V
Capacitance @ Vr, F :
8pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
DO-219AB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Sub SMA
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-55°C ~ 150°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
MMBD1501-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 180V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600mA 180V
-
MMBD4448-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V
-
BAS21WT-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 200V
-
MMBD4448WT-TP
Micro Commercial Co
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 500mA 100V
-
VS-HFA04SD60SHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
-
VS-HFA08SD60SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO252. Rectifiers Hexfreds - D-PAK-e3
ცხელი ნაწილები
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF
选择你的位置