Ნაწილი ნომერი :
RV1C001ZPT2L
მწარმოებელი :
Rohm Semiconductor
აღწერა :
MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
20V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
100mA (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
-
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
15pF @ 10V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
100mW (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
VML0806
პაკეტი / საქმე :
3-SMD, No Lead