IXYS - IXTP14N60PM

KEY Part #: K6394897

IXTP14N60PM ფასები (აშშ დოლარი) [38844ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.01387
  • 150 pcs$1.00882

Ნაწილი ნომერი:
IXTP14N60PM
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, Thististors - SCRs - მოდულები and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTP14N60PM electronic components. IXTP14N60PM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP14N60PM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP14N60PM პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTP14N60PM
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
სერიები : PolarHV™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2500pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 75W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220 Isolated Tab
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ