ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160D-6TLA1

KEY Part #: K937670

IS46R16160D-6TLA1 ფასები (აშშ დოლარი) [17690ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.09908
  • 216 pcs$3.08366

Ნაწილი ნომერი:
IS46R16160D-6TLA1
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 256M, 2.5V, 166Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ, მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, ინტერფეისი - ფილტრები - აქტიური, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი რეგულატორის , ინტერფეისი - მოდულები, ლოგიკა - მულტივიბრატორი, ინტერფეისი - UARTs (უნივერსალური ასინქრონული მიმღე and ჩაშენებული - მიკროკონტროლები - განაცხადის სპეციფიკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6TLA1 electronic components. IS46R16160D-6TLA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16160D-6TLA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160D-6TLA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS46R16160D-6TLA1
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 256Mb (16M x 16)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 66-TSOP II

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85RS1MTPH-G-JNE1

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 1M SPI 40MHZ 8DIP.

  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • S25FS512SAGNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 133MHZ. NOR Flash Nor