GeneSiC Semiconductor - MBRH12060

KEY Part #: K6425033

Დეტალური აღწერა:: DIODE SCHOTTKY 60V 120A D-67. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY D67 20-100V 120A 60P42RV

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and ტრანზისტორი - IGBT - ერთი ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MBRH12060 electronic components. MBRH12060 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRH12060, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : MBRH12060

მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor

აღწერა : DIODE SCHOTTKY 60V 120A D-67

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

დიოდის ტიპი : Schottky

ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 60V

მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 120A

ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 750mV @ 120A

სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

უკუ აღდგენის დრო (trr) : -

მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 4mA @ 20V

Capacitance @ Vr, F : -

სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount

პაკეტი / საქმე : D-67

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : D-67

ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

IRG4RC10SDTRPBF

Infineon Technologies

IGBT 600V 14A 38W DPAK.
FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
IGB01N120H2ATMA1

Infineon Technologies

IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

ცხელი ნაწილები