Ნაწილი ნომერი :
FCH190N65F-F155
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
სერიები :
FRFET®, SuperFET® II
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
20.6A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
78nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
3225pF @ 100V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
208W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-247 Long Leads
პაკეტი / საქმე :
TO-247-3