Ნაწილი ნომერი :
TSM4NB65CI C0G
მწარმოებელი :
Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა :
MOSFET N-CHANNEL 650V 4A ITO220
ნაწილის სტატუსი :
Not For New Designs
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
650V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.37 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
13.46nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
549pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
70W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
ITO-220AB
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab