Microsemi Corporation - APTC60DAM35T1G

KEY Part #: K6413166

[13194ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    APTC60DAM35T1G
    მწარმოებელი:
    Microsemi Corporation
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 600V 72A SP1.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and დიოდები - გასწორება - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Microsemi Corporation APTC60DAM35T1G electronic components. APTC60DAM35T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTC60DAM35T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTC60DAM35T1G პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : APTC60DAM35T1G
    მწარმოებელი : Microsemi Corporation
    აღწერა : MOSFET N-CH 600V 72A SP1
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 600V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 72A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 72A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 5.4mA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 518nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 14000pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 416W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Chassis Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SP1
    პაკეტი / საქმე : SP1

    Უახლესი ცნობები

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • FDB8444TS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5.

    • ZVN4210ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • FQD2N80TM_WS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK.

    • IRFR3412TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.

    • IRLR024ZTRLPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.

    • IRLR3114ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.