თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. დისკრეტული ნახევარგამტარული პროდუქტები
  4. დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი
  5. GB02SLT12-214

GeneSiC Semiconductor - GB02SLT12-214

KEY Part #: K6433133

GB02SLT12-214 ფასები (აშშ დოლარი) [34628ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.19018
  • 500 pcs$1.05989
  • 1,000 pcs$0.89389
Ნაწილი ნომერი:
GB02SLT12-214
მწარმოებელი:
GeneSiC Semiconductor
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ხიდის გასწორება, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-214 electronic components. GB02SLT12-214 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB02SLT12-214, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB02SLT12-214 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : GB02SLT12-214
მწარმოებელი : GeneSiC Semiconductor
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Silicon Carbide Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 2A (DC)
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 1.8V @ 1A
სიჩქარე : No Recovery Time > 500mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : 0ns
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 50µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F : 131pF @ 1V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : DO-214AA, SMB
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-214AA
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 175°C
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 1SS193-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 80V 100MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100mA, 80V

  • BAS16WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150mA 75V

  • BAS19WT-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200mA 100V

  • V2FM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    2A120VSMFTRENCH SKY RECT..

  • V3FL45HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A45VSMFTRENCH SKY RECT..

  • V3FM12HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    3A120VSMFTRENCH SKY RECT..

ცხელი ნაწილები