Infineon Technologies - BSC026NE2LS5ATMA1

KEY Part #: K6409560

BSC026NE2LS5ATMA1 ფასები (აშშ დოლარი) [181088ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.20425
  • 5,000 pcs$0.18742

Ნაწილი ნომერი:
BSC026NE2LS5ATMA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - JFET, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies BSC026NE2LS5ATMA1 electronic components. BSC026NE2LS5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC026NE2LS5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC026NE2LS5ATMA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : BSC026NE2LS5ATMA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
სერიები : OptiMOS™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 24A (Ta), 82A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 16nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±16V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1100pF @ 12V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2.5W (Ta), 29W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PG-TDSON-8
პაკეტი / საქმე : 8-PowerTDFN

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FCD620N60ZF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

  • RFD3055LESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

  • FCD850N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

  • FCD5N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FDD6N50TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FDD10AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.