Ნაწილი ნომერი :
BSC026NE2LS5ATMA1
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
24A (Ta), 82A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
16nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1100pF @ 12V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
2.5W (Ta), 29W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
PG-TDSON-8
პაკეტი / საქმე :
8-PowerTDFN