ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R16160F-6TLI

KEY Part #: K940243

IS43R16160F-6TLI ფასები (აშშ დოლარი) [28644ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.90382

Ნაწილი ნომერი:
IS43R16160F-6TLI
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 256M, 2.5V, DDR, 16Mx16, 166MHz
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - მოდემი - IC და მოდულები, საათი / დრო - განაცხადის სპეციფიკური, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის რეგულ, მონაცემთა შეძენა - ADC / DAC - სპეციალური დანიშნულ, ლოგიკა - სიგნალის კონცენტრატორები, მულტიპლექსერები, PMIC - თერმული მენეჯმენტი, მონაცემთა შეძენა - ციფრული ანალოგური გადამყვანების and PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6TLI electronic components. IS43R16160F-6TLI can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R16160F-6TLI, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43R16160F-6TLI პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS43R16160F-6TLI
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 256Mb (16M x 16)
საათის სიხშირე : 166MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 66-TSOP II

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CY7C199D-25SXET

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs

  • W94AD2KBJX5E TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R

  • W632GG8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GG8MB-11

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz

  • W632GU8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GU8MB-12

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,