Taiwan Semiconductor Corporation - 1N5819 R1G

KEY Part #: K6430156

1N5819 R1G ფასები (აშშ დოლარი) [2750629ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.01345

Ნაწილი ნომერი:
1N5819 R1G
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 1N5819 R1G electronic components. 1N5819 R1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5819 R1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5819 R1G პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : 1N5819 R1G
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO204AL
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
დიოდის ტიპი : Schottky
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) : 40V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) : 1A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ : 600mV @ 1A
სიჩქარე : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) : -
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr : 1mA @ 40V
Capacitance @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
პაკეტი / საქმე : DO-204AL, DO-41, Axial
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : DO-204AL (DO-41)
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება : -55°C ~ 125°C

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • RB551V-30-HF

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=20V, IO=0.5A

  • SICRD101200TR

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.

  • AS3PGHM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 2.1A TO277A. Rectifiers 3A,400V, SMPC STD, Avalanche SM

  • VS-6ESH01-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 6A 100V

  • V12P15HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 150V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 150V SMPC (TO-277A) AEC-Q101 Qualified

  • V15P6HM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 15A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers TMBS 60V Vrrm eSMP AEC-Q101 Qualified