IDC51D120T6MX1SA3 ფასები (აშშ დოლარი) [12304ცალი საფონდო]
- 1 pcs$3.34932
- Ნაწილი ნომერი:
- IDC51D120T6MX1SA3
- მწარმოებელი:
- Infineon Technologies
- Დეტალური აღწერა:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი and დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Infineon Technologies IDC51D120T6MX1SA3 electronic components. IDC51D120T6MX1SA3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDC51D120T6MX1SA3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDC51D120T6MX1SA3 პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
IDC51D120T6MX1SA3
მწარმოებელი :
Infineon Technologies
აღწერა :
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A WAFER
სერიები :
-
ნაწილის სტატუსი :
Active
დიოდის ტიპი :
Standard
ძაბვა - DC უკუ (Vr) (მაქსიმალური) :
1200V
მიმდინარე - საშუალო გამოსწორებული (Io) :
100A
ძაბვა - წინ (Vf) (მაქსიმუმი) @ თუ :
2.05V @ 100A
სიჩქარე :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
უკუ აღდგენის დრო (trr) :
-
მიმდინარე - საპირისპირო გაჟონვა @ Vr :
18µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F :
-
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
პაკეტი / საქმე :
Die
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
Sawn on foil
ოპერაციული ტემპერატურა - შეერთება :
-40°C ~ 175°C
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
BAS19
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
MMBD4448
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Conductance Fast
-
MMBD1501A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
BAS29
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 200mA
-
BAV19W-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 200mA 50ns 1A IFSM
-
ცხელი ნაწილები
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF
选择你的位置