IXYS - IXFR36N50P

KEY Part #: K6416067

IXFR36N50P ფასები (აშშ დოლარი) [11578ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$4.11398
  • 30 pcs$4.09352

Ნაწილი ნომერი:
IXFR36N50P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დიოდები - ზენერი - ერთჯერადი, დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFR36N50P electronic components. IXFR36N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFR36N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR36N50P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFR36N50P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
სერიები : HiPerFET™, PolarHT™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 4mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 93nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 5500pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 156W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : ISOPLUS247™
პაკეტი / საქმე : ISOPLUS247™

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • ZVNL110A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.