Vishay Siliconix - SQP100N04-3M6_GE3

KEY Part #: K6418754

SQP100N04-3M6_GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [75908ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.51510

Ნაწილი ნომერი:
SQP100N04-3M6_GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას and Thististors - SCRs - მოდულები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SQP100N04-3M6_GE3 electronic components. SQP100N04-3M6_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQP100N04-3M6_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQP100N04-3M6_GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SQP100N04-3M6_GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
სერიები : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 135nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 7200pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 120W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ