ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16160D-5TLA1

KEY Part #: K937401

IS46R16160D-5TLA1 ფასები (აშშ დოლარი) [16824ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.25864
  • 216 pcs$3.24243

Ნაწილი ნომერი:
IS46R16160D-5TLA1
მწარმოებელი:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II. DRAM 256M, 2.5V, 200Mhz 16Mx16 DDR SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - CODEC, მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, ინტერფეისი - მძღოლები, მიმღები, გადამცემები, ლოგიკა - პარიტეტის გენერატორები და ქვები, ჩაშენებული - მიკროკონტროლები - განაცხადის სპეციფიკ, ლოგიკა - სიგნალის კონცენტრატორები, მულტიპლექსერები, PMIC - ან კონტროლერები, იდეალური დიოდები and PMIC - ცხელი სვოპ კონტროლერები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-5TLA1 electronic components. IS46R16160D-5TLA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16160D-5TLA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS46R16160D-5TLA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IS46R16160D-5TLA1
მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
აღწერა : IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR
მეხსიერების ზომა : 256Mb (16M x 16)
საათის სიხშირე : 200MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 15ns
წვდომის დრო : 700ps
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 2.3V ~ 2.7V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 66-TSOP II

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

  • 71321SA55JG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC. SRAM 2KX8 DUAL PORT MSTR W/INT

  • S25FS512SDSNFV013

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FLASH 512M SPI 80MHZ. NOR Flash Nor