IXYS - IXTQ36P15P

KEY Part #: K6397768

IXTQ36P15P ფასები (აშშ დოლარი) [16464ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$2.88218
  • 10 pcs$2.57193
  • 100 pcs$2.10906
  • 500 pcs$1.70784
  • 1,000 pcs$1.44034

Ნაწილი ნომერი:
IXTQ36P15P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTQ36P15P electronic components. IXTQ36P15P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ36P15P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ36P15P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTQ36P15P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET P-CH 150V 36A TO-3P
სერიები : PolarP™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 150V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 36A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 55nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 3100pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 300W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-3P
პაკეტი / საქმე : TO-3P-3, SC-65-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.