Infineon Technologies - FS800R07A2E3B31BOSA1

KEY Part #: K6533567

FS800R07A2E3B31BOSA1 ფასები (აშშ დოლარი) [122ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$377.05825
  • 3 pcs$328.62766

Ნაწილი ნომერი:
FS800R07A2E3B31BOSA1
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
IGBT MODULES.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, დიოდები - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - მარტოხელა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies FS800R07A2E3B31BOSA1 electronic components. FS800R07A2E3B31BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS800R07A2E3B31BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FS800R07A2E3B31BOSA1 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : FS800R07A2E3B31BOSA1
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : IGBT MODULES
სერიები : *
ნაწილის სტატუსი : Not For New Designs
IGBT ტიპი : -
კონფიგურაცია : -
ვოლტაჟი - კოლექციონერის გამანაწილებელი ავარია (მაქსიმალური) : -
მიმდინარე - კოლექციონერი (Ic) (მაქსიმალური) : -
ძალა - მაქსიმუმი : -
Vce (ჩართულია) (Max) @ Vge, Ic : -
მიმდინარე - კოლექციონერის შეწყვეტა (მაქსიმალური) : -
შეყვანის სიმძლავრე (ცდის) @ Vce : -
შეყვანა : -
NTC თერმოსტორი : -
ოპერაციული ტემპერატურა : -
სამონტაჟო ტიპი : -
პაკეტი / საქმე : -
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : -

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VS-GT175DA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

  • VS-GP250SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 380A 893W SOT-227.

  • VS-GT105NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227.

  • VS-GT105LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227.

  • VS-GT100NA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

  • VS-GT100LA120UX

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.